重要突破！中国科大成功制备高性能纯红光钙钛矿LED

近日，记者从中国科学技术大学获悉，姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡伟团队在纯红钙钛矿发光二极管（LED）领域取得重要进展。通过自主发明的电激发瞬态光谱（EETA）技术，研究团队揭示了空穴泄漏是导致纯红三维钙钛矿LED效率滚降的关键因素，并成功制备出高性能纯红钙钛矿LED。相关研究成果已于北京时间5月7日在线发表于国际学术期刊《自然》杂志。

据了解，金属卤化物钙钛矿是新一代半导体材料，具有载流子迁移率高、色彩纯度高、色域广等优势，可作为LED中的发光层材料。纯红光钙钛矿LED是三基色光源，在高清显示领域具有较大潜力，应用前景光明，但目前存在难以兼顾亮度与效率的难点。中国科大研究团队此次的研究成果主要解决了纯红光钙钛矿LED在亮度提高时效率骤降的问题。

此次基于“三维钙钛矿异质结”开发的纯红光钙钛矿LED展现出了国际领先水平的高性能：峰值外量子效率（EQE）达到24.2%，与顶级OLED水平相当；最大亮度达到24600 cd/m²，相比之前的纯红光三维钙钛矿LED提升了三倍；同时，器件在22670 cd/m²亮度时，其外量子效率仍然超过10%，展现出极低的效率滚降。